銅銦鎵硒柔性CIGS薄膜太陽能電池是三元化合物CIS基礎上摻入Ga而形成四元化合物。對Cu、In、Ga疊層膜進行硒化時，膜的成分為CuIn0.6Ga0.4Se2。
分子束外延（MBE）是一種可在原子尺度上精確控制外延厚度、摻雜和界面平整度的超薄層薄膜制備技術，是在一定的單晶體材料襯底上，沿著襯底的某個指數晶面向外延伸生長一層單晶薄膜。外延單晶薄膜在純度和性能上有比體單晶材料有明顯的改善，而且用外延術可以制造很難用其他方法制造的大面積或特殊材料的單晶薄膜。
磁控濺射室可鍍有效尺寸≦Φ50㎜襯底一片，基片加熱溫度：室溫～1000℃，旋轉速度1～20轉/分。靶軸與真空室軸夾角70o靶面到襯底距離±50mm在線可調，偏擺可調±15°。極限真空：2×10-6Pa、恢復真空7×10-4Pa：30～40分鐘（充干燥氮氣）。
該設備是一種多功能磁控濺射鍍膜設備，適用于鍍制各種單層膜、多層膜及攙雜膜系。可鍍金屬、合金、化合物、半導體、陶瓷膜(需配射頻電源)、介質復合膜和其它化學反應膜。
1200L/S分子泵、KF40高真空截止閥、KF40波紋管管路、KF40不銹鋼三通、KF40真空充氣閥、高低真空計、CF200超高真空氣動閘板閥一臺、CF35超高真空氣動角閥一支以及9L/S機械泵機組一套；
蒸鍍室是以電阻加熱的方式實現蒸發鍍膜功能的，它是在高真空條件下，通過加熱材料的方法，在需鍍襯底上蒸鍍各種金屬單層或多層膜，適用于實驗室制備金屬、氧化物、介質、掃描電鏡制樣等，也可用作教學及生產線前期工藝試驗等，整套設備操作簡便，綜合功能多，擴展空間大，適合及滿足院校的教學與科研。本設備由于采用了超高真空密封技術，極限真空高，恢復工作真空時間短；整機主要采用金屬密封技術及超高真空閥門，前后開門采用氟膠圈，真空管路用不銹鋼金屬波紋管路，避免了傳統結構帶來的安裝維護困難的問題。
公司擁有真空機械加工廠，有數控車床，數控剪板機，數控折彎機，氬弧焊機，其它如超高真空檢漏儀、超聲波清洗機等，研發制造的真空產品能夠滿足客戶要求。
平臺用途：該平臺是一種超高多靶磁控濺射沉積—多功能電子束—分子束聯合蒸發鍍膜實驗平臺，用磁控濺射的方法制備孤立分散的量子點和納米晶顆粒等薄膜、半導體薄膜及Fe和Cu等金屬薄膜，用超高真空電子束—分子束聯合蒸發鍍膜的方法制備Ti、Al和Cu等金屬電極膜及化合物、半導體薄膜，同時還可以用于基片和薄膜的等離子清洗退火。
