高真空多靶磁控濺射鍍膜系統(tǒng) 性能參數(shù)

　　1、本臺設(shè)備主要是以磁控濺射的方式實現(xiàn)鍍膜功能的，整套設(shè)備操作簡便，綜合功能多，擴展空間大。

　　2、系統(tǒng)主要由四靶濺射室，MJCB-200型磁控濺射靶,樣品轉(zhuǎn)臺、真空系統(tǒng)、真空測量系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、電控系統(tǒng),直流電源、和計算機控制鍍層系統(tǒng)等組成。

　　3、 濺射室：為約Ф600mm×500mm不銹鋼圓柱形腔體。濺射室前開門密封方式，外表采用噴丸和電解拋光工藝處理，上蓋密封方式并電動提升，真空室內(nèi)設(shè)有不銹鋼防污板。前面和側(cè)面各裝有一個觀察窗CF100,一個四芯引線等。下面裝有4個MJCB-200型磁控濺射靶，靶基距可調(diào),該磁控濺射靶可在0.1Pa-1Pa之間真空度長時間穩(wěn)定起輝，無滅弧現(xiàn)象，適應(yīng)于Mo、Si、Ru等金屬和半導(dǎo)體材料的鍍膜; 每塊靶有獨立的勻氣環(huán)，下面裝有4個RF兼容磁控靶，四靶之間裝有隔板防止交叉污染。CF150備用法蘭，二個進氣閥法蘭等。真空室可內(nèi)烘烤100～150℃，極限真空5×10-5Pa。

　　4、樣品臺：一個樣品位，樣品直徑220mm，可自轉(zhuǎn)，可公轉(zhuǎn)和可升降，靶基距可調(diào)；公轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)速可隨位置自動調(diào)節(jié)（可編程）也可在設(shè)定靶位下停留設(shè)定時間。樣品臺公轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速0-5rpm，公轉(zhuǎn)位置控制精度0.1?；自轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速0-500rpm，樣品臺可調(diào)節(jié)高度：50-150mm；承重不超過40kg。

　　5、MJCK-600高真空磁控濺射鍍膜系統(tǒng)現(xiàn)貨價：70萬元人民幣。