高真空磁控濺射鍍膜系統：廠商沈陽美濟真空科技有限公司。（品牌：美濟真空）型號MJCK-500，產品實用可靠，自動化程度高，整套設備操作簡便，綜合功能多，擴展空間大，熱處理部分也在原來的設備基礎上全面改進升級了，完全滿足國內高等院校和科研院所的需要。
高真空磁控濺射鍍膜系統性能參數，基片尺寸：≥110×110mm，基片加擋板。基片臺：基片臺旋轉，轉速0-25rpm連續可調，光控定位；
MJCK550磁控濺射鍍膜設備樣品臺樣片架可公轉，可自轉，可升降，基片加熱溫度1300度。超高真空分子束外延室與磁控濺射聯合實驗平臺系統，左邊數第一個第二個真空室是分子束外延室真空度可達2X10-7Pa，基片加熱溫度1700度，第三個是進樣室，第四個是磁控濺射室，磁控濺射室基片加熱溫度1300度
高真空多靶磁控濺射鍍膜系統 性能參數，本臺設備主要是以磁控濺射的方式實現鍍膜功能的，整套設備操作簡便，綜合功能多，擴展空間大。系統主要由四靶濺射室，MJCB-200型磁控濺射靶,樣品轉臺、真空系統、真空測量系統、氣路系統、電控系統,直流電源、和計算機控制鍍層系統等組成。
基片尺寸：≥110×110mm，基片加擋板。基片臺：基片臺旋轉，轉速0-25rpm連續可調，光控定位；襯底加熱：采用真空專用加熱器，室溫～1500℃可調可控；
設備用途：該設備是一種超高真空多靶磁控濺射沉積鍍膜實驗平臺，用磁控濺射的方法制備孤立分散的量子點和納米晶顆粒等薄膜、半導體薄膜、氧化物薄膜及Fe和Cu等金屬薄膜。該設備可以根據工藝的需要選擇單靶獨立工作、四靶輪流工作或四靶任意組合共濺等工作模式。該設備由主腔室和預備室兩個真空室組成。主腔室用于鍍制薄膜，完成用戶主要鍍膜工藝過程。預備室通過高真空插板閥與主腔室相連，可以用于鍍膜前基片與鍍膜后薄膜的等離子清洗，并可以在不破壞主腔室真空的條件下更換基片。
設備用途：該設備是一種超高真空多靶磁控濺射沉積鍍膜實驗平臺，用磁控濺射的方法制備孤立分散的量子點和納米晶顆粒等薄膜、半導體薄膜、氧化物薄膜及Fe和Cu等金屬薄膜。該設備可以根據工藝的需要選擇單靶獨立工作、四靶輪流工作或四靶任意組合共濺等工作模式。該設備由主腔室和預備室兩個真空室組成。主腔室用于鍍制薄膜，完成用戶主要鍍膜工藝過程。預備室通過高真空插板閥與主腔室相連，可以用于鍍膜前基片與鍍膜后薄膜的等離子清洗，并可以在不破壞主腔室真空的條件下更換基片。
本系統為高真空磁控濺射鍍膜設備，用于通過磁控濺射法沉積非金屬與金屬膜，用戶可以根據工藝的需要選擇單靶獨立工作、四靶輪流工作或四靶任意組合共濺等工作模式。該設備由主腔室和預備室兩個真空室組成。主腔室用于鍍制薄膜，完成用戶主要鍍膜工藝過程。預備室通過高真空閘板閥與主腔室相連，可以用于鍍膜前基片與鍍膜后薄膜的等離子清洗，并可以在不破壞主腔室真空的條件下更換基片,樣片載體為直線運動的傳遞機構。
