磁控濺射性能參數
磁控濺射室可鍍有效尺寸≦Φ50㎜襯底一片，基片加熱溫度：室溫～1000℃，旋轉速度1～20轉/分。靶軸與真空室軸夾角70o靶面到襯底距離±50mm在線可調，偏擺可調±15°。極限真空：2×10-6Pa、恢復真空7×10-4Pa：30～40分鐘（充干燥氮氣）。
磁控濺射室可鍍有效尺寸≦Φ50㎜襯底一片，基片加熱溫度：室溫～1000℃，旋轉速度1～20轉/分。靶軸與真空室軸夾角70o靶面到襯底距離±50mm在線可調，偏擺可調±15°。極限真空：2×10-6Pa、恢復真空7×10-4Pa：30～40分鐘（充干燥氮氣）。